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07/12
2023
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▲簽約儀式現場
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蘇州j9國際站備用光電技術股份有限公司董事長/總經理閔大勇致辭，合作成立鎵銳芯光符合j9國際站備用“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略的戰略需求和重要實踐，進一步拓展了j9國際站備用半導體激光器芯片的材料體系、波譜范圍和市場應用。鎵銳芯光團隊是國內從事藍綠光激光器研究具有頂尖水平的團隊，正處于研究成果產業化轉型關鍵期。我們強強合作，共同開拓可見光領域無限發展前景，填補國內又一項激光領域的“芯”空白。
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蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長/總經理劉建平致辭，感謝各位新老朋友的支持。鎵銳芯光的成立對我和我們團隊意義重大。我親歷了中國GaN激光器發展全過程。2004年，在中科院半導體所讀博期間，我的博士導師楊輝研究員帶領團隊研制出了國內第一支GaN紫光激光器，我的博士課題也與激光器結構有關。2008年，我在美國佐治亞理工學院做博士后研究期間研制出GaN藍光激光器。回國后，我在中科院蘇州納米所繼續GaN激光器的研究，期間GaN激光器應用漸熱，我們團隊也成長為GaN激光器研究領域的知名團隊，研發的藍光和綠光激光器光功率分別達到了1.2W和7.5W，填補了國內空白。現在，我們的藍綠光激光器正式吹響了向產業化進軍的號角。我們相信，依托我們領先的GaN激光器技術實力和j9國際站備用成熟的激光芯片IDM全流程工藝平臺和生產線，未來我們必將打破氮化鎵激光芯片依賴進口的局面，實現氮化鎵激光芯片的國產化替代。
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▲現場展示的藍綠光激光芯片
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蘇州鎵銳芯光科技有限公司
蘇州j9國際站備用光電技術股份有限公司對外投資設立參股公司——蘇州鎵銳芯光科技有限公司，該公司是在前期由j9國際站備用和中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所聯合建設的氮化鎵激光器聯合實驗室基礎上成立的成果轉化和產業化平臺公司，受到中央電視臺新聞聯播關注報道。
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▲央視新聞聯播報道
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成立背景
第三代半導體材料（寬禁帶半導體）氮化鎵（GaN）以及其合金氮化物是直接帶隙半導體，其可調節的能帶寬度使其發光波長覆蓋從深紫外、可見光直至紅外的寬廣的波譜范圍。氮化鎵半導體激光器具有直接發光、高效率、高穩定性等優勢，藍光和綠光波段的GaN激光器產品，已經在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領域具有廣泛應用，總體市場需求超百億元且呈現較高的復合增長趨勢。
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然而，長期以來，氮化鎵激光器芯片產品基本全部依賴進口，是亟需實現自主可控的卡脖子技術。
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填補國內空白
鎵銳芯光團隊是國內最早從事氮化鎵基激光器研究的團隊，曾先后攻破關鍵核心技術，研制出國內首顆氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片，填補國內在氮化鎵的藍綠光激光器領域的空白，研發成果和技術水平國內領先、國際一流。目前團隊研制的綠光激光器光功率已達1.2W，處于國際先進水平。大功率藍光激光器光功率已達7.5W，達到國際一流水平。
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鎵銳芯光旨在成為國內第一、國際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業，自主掌握外延設計與材料生長、芯片設計與制造、封裝與測試等全流程設計和工藝制造能力，用技術創新推進中國激光產業鏈的完整性、領先性。
▲中科院蘇州納米所劉老師帶團隊在j9國際站備用工藝線
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在j9國際站備用成熟的半導體激光器芯片IDM運行經驗和鎵銳芯光團隊頂尖的技術能力的強強聯合下，鎵銳芯光必將大大加速國產氮化鎵激光器芯片的產業化進程，預計2023年底完成藍光、綠光芯片產品的工程樣片和種子客戶驗證，2024年建成國內最大的氮化鎵激光器芯片量產線并實現包括紫光芯片在內的全系列產品量產出貨，助力氮化鎵激光器產業高速、高質量發展。
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激光聚會2023主題演講
GaN激光器研究進展與應用
7月11日，慕尼黑上海光博會展館內，蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長/總經理/研究員劉建平博士在激光技術持續賦能智能制造論壇上做題為《GaN激光器研究進展與應用》主題演講。
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基于自發輻射發光的GaN基藍光LED已經得到廣泛應用，其發明者被授予 2014 年諾貝爾物理學獎。基于受激輻射的氮化鎵基激光器也是重要的光電子器件，在激光顯示、激光加工、量子信息、水下通信和探測成像等領域有重要的應用前景。
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報告介紹了鎵銳芯光在氮化鎵基激光器的研究進展，包括氮化鎵基半導體和ITO透明導電層為光限制層的復合光腔結構GaN基激光器的設計和制備，以及其在提高激光器性能方面的優勢；介紹了激光器增益區多量子阱結構設計和材料外延生長，特別是大應變綠光多量子阱有源區的缺陷抑制方法，高量子效率和高均勻綠光有源區生長技術等。因為在器件設計和外延生長等方面的進展，我們研制出大功率激光器，綠光激光器的閾值為1.8 kA/cm2，斜率效率為0.8 W/A，在2A電流下，光功率達到1.2W；連續電流注入下工作，藍光激光器最大連續工作光功率達到7.5W。
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