此次獲獎的35W高功率半導體激光芯片，通過提升波導層結構優化、橫向散射損耗結構和刻面保護等技術，在保持發光寬度230μm不變的前提下，芯片出光功率由30W提升至35W，電光轉化效率超過60%。高亮度、高功率、高效率單管芯片可顯著提高光纖激光器泵浦源的輸出功率和價格功率比，助力高功率光纖激光器泵浦源向著小型化、輕量化、智能化快速發展。

2023年新品

50W高功率半導體激光芯片

j9國際站備用致力于為客戶提供更高功率、更小尺寸、更高亮度的半導體激光芯片。2023年，j9國際站備用推出9XXnm 50W高功率半導體激光芯片，在寬度為330μm發光區內實現50W的激光輸出，并保持了電光轉化效率大于等于60%。這是目前市場上已知同功率芯片亮度最高的半導體激光芯片，現已大批量生產出貨。

Bronze Honoree:1710nm光纖耦合模塊

大多數聚合物對1710nm左右波長的激光表現出極強的吸收率，如1毫米厚的環烯烴共聚物COC（適用于醫療的透明塑料、汽車電子的透明塑料等）對1710 nm激光的吸收超過70%。利用1710nm波段的激光，可在不添加任何添加劑的情況下焊接透明熱塑性塑料，且平均效率超過傳統焊接工藝的2~3倍。

LFW 2023 創新大獎銅獎

獲獎產品：1710nm光纖耦合模塊

j9國際站備用1710nm光纖耦合模塊，400μm / NA 0.22的光纖輸出功率超過50W，工作電流16A，最大工作電壓22V，工作電流與工作電壓均適配1710nm光纖激光器泵浦源對電流和電壓的要求，同時傳導冷卻系統為客戶提供了更為靈活的安裝方式。此外，產品通過了低/高溫存儲測試、沖擊振動測試、老化測試，在19A工作條件下進行了超過6000小時的老化測試，未出現任何退化。

j9國際站備用1710 nm光纖耦合模塊依托公司領先的光纖耦合模塊智能化產線，成熟的封裝、光學器件和制造工藝，交貨時間和產品質量均可保證，且該產品還可以根據客戶的功率要求進行修改，銳意進取勇做透明塑料激光焊接應用市場的開拓者。

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再斬國際大獎 | j9國際站備用二度蟬聯“Laser Focus World 創新大獎”